Bất ngờ: Trung Quốc vượt mặt Hàn Quốc trong cuộc đua chip bán dẫn!

Bất chấp những lệnh trừng phạt thương mại từ Mỹ, Trung Quốc dường như đang tìm ra cách để vượt qua khó khăn và giành chiến thắng trong cuộc đua với các đối thủ. Một khảo sát gần đây cho thấy, Hàn Quốc đang bị Trung Quốc bỏ lại phía sau trong tất cả các lĩnh vực sản xuất chip bán dẫn. Điều này cho thấy Hàn Quốc cần phải nỗ lực hơn nữa để phát triển các quy trình sản xuất tiên tiến.

CPU Laptop Thế Hệ Mới: AMD Ryzen 9 9955HX3D "Fire Range" và Intel Arrow Lake-HX

Tại sự kiện CES sắp tới, AMD và Intel được cho là sẽ ra mắt các dòng CPU laptop cao cấp thế hệ mới. Đáng chú ý, AMD sẽ giới thiệu Ryzen 9 9955HX3D thuộc dòng "Fire Range", dựa trên kiến trúc Zen 5. Dòng chip này được thiết kế đặc biệt cho phân khúc laptop hiệu năng cao, khác biệt so với các dòng Strix Point, Krackan Point và Strix Halo. Rò rỉ từ Weibo cho thấy Ryzen 9 9955HX3D có thể sẽ là chip di động đầu tiên sở hữu thêm bộ nhớ đệm L3, hứa hẹn mang đến hiệu năng vượt trội cả về công việc lẫn chơi game khi kết hợp cùng card đồ họa rời. Mặc dù thông số kỹ thuật chưa được tiết lộ, dự kiến 9955HX3D sẽ có 16 lõi 32 luồng và tổng cộng 128MB bộ nhớ đệm L3. AMD đang cho thấy tham vọng mở rộng công nghệ 3D V-Cache, vốn đã thành công trên desktop và máy chủ, sang phân khúc laptop. Trong khi đó, các CPU Intel Arrow Lake-HX như Core Ultra 7 255HX và Core Ultra 9 275HX có vẻ như không có những cải tiến đáng kể so với thế hệ trước. Điều này không quá bất ngờ, vì hiệu năng của chip desktop Arrow Lake cũng không ấn tượng bằng chip Raptor Lake & Refresh. Tuy nhiên, một số báo cáo cho rằng Arrow Lake-HX có thể mạnh hơn về hiệu suất công việc. Nếu thông tin về Ryzen 9 9955HX3D là chính xác, AMD có thể sẽ chiếm ưu thế lớn trên thị trường laptop hiệu năng cao nhờ công nghệ bộ nhớ đệm L3 tiên tiến.

Samsung Exynos 2500 có thể được ghép nối với GPU AMD dựa trên kiến trúc RDNA4 và RAM LPPDR5T

Samsung Exynos 2400 đã đạt được một số kết quả hiệu năng khá ấn tượng, nhưng nó vẫn tụt hậu so với các đối thủ cạnh tranh. Có vẻ như Samsung đang tập hợp một số lượng đáng kể tài nguyên cho Exynos 2500 và theo tin đồn mới nhất, chipset này sẽ được ghép nối với GPU AMD dựa trên kiến trúc RDNA4, cùng với RAM nhanh hơn và hiệu quả hơn.

Samsung giới thiệu công nghệ bộ nhớ thế hệ mới tại Memory Tech Day 2023

Samsung đã chính thức giới thiệu các công nghệ bộ nhớ thế hệ mới của mình bao gồm HBM3E, GDDR7, LPDDR5X CAMM2, và nhiều hơn nữa tại sự kiện Memory Tech Day 2023.

UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology

UltraRAM là một công nghệ bộ nhớ mới đang được phát triển bởi QuInAs Technology, một công ty được tách ra từ Khoa Vật lý của Đại học Lancaster (Anh). UltraRAM được thiết kế để kết hợp các ưu điểm của bộ nhớ flash (không biến động) và bộ nhớ DRAM (tốc độ cao).

HBM4: Tăng gấp đôi băng thông với giao diện 2048 bit

Bộ nhớ băng thông cao (HBM) đã đi một chặng đường dài trong vòng chưa đầy 10 năm có mặt trên thị trường. Nó đã tăng đáng kể tốc độ truyền dữ liệu của mình, tăng dung lượng theo cấp số nhân và đạt được vô số tính năng. Có một thay đổi lớn khác sắp xảy ra và lần này sẽ rất lớn: các stack bộ nhớ HBM thế hệ tiếp theo sẽ có giao diện bộ nhớ 2048 bit, theo báo cáo của DigiTimes trích dẫn Seoul Economy.

Bất ngờ: Trung Quốc vượt mặt Hàn Quốc trong cuộc đua chip bán dẫn!

Bất chấp những lệnh trừng phạt thương mại từ Mỹ, Trung Quốc dường như đang tìm ra cách để vượt qua khó khăn và giành chiến thắng trong cuộc đua với các đối thủ. Một khảo sát gần đây cho thấy, Hàn Quốc đang bị Trung Quốc bỏ lại phía sau trong tất cả các lĩnh vực sản xuất chip bán dẫn. Điều này cho thấy Hàn Quốc cần phải nỗ lực hơn nữa để phát triển các quy trình sản xuất tiên tiến.

CPU Laptop Thế Hệ Mới: AMD Ryzen 9 9955HX3D "Fire Range" và Intel Arrow Lake-HX

Tại sự kiện CES sắp tới, AMD và Intel được cho là sẽ ra mắt các dòng CPU laptop cao cấp thế hệ mới. Đáng chú ý, AMD sẽ giới thiệu Ryzen 9 9955HX3D thuộc dòng "Fire Range", dựa trên kiến trúc Zen 5. Dòng chip này được thiết kế đặc biệt cho phân khúc laptop hiệu năng cao, khác biệt so với các dòng Strix Point, Krackan Point và Strix Halo. Rò rỉ từ Weibo cho thấy Ryzen 9 9955HX3D có thể sẽ là chip di động đầu tiên sở hữu thêm bộ nhớ đệm L3, hứa hẹn mang đến hiệu năng vượt trội cả về công việc lẫn chơi game khi kết hợp cùng card đồ họa rời. Mặc dù thông số kỹ thuật chưa được tiết lộ, dự kiến 9955HX3D sẽ có 16 lõi 32 luồng và tổng cộng 128MB bộ nhớ đệm L3. AMD đang cho thấy tham vọng mở rộng công nghệ 3D V-Cache, vốn đã thành công trên desktop và máy chủ, sang phân khúc laptop. Trong khi đó, các CPU Intel Arrow Lake-HX như Core Ultra 7 255HX và Core Ultra 9 275HX có vẻ như không có những cải tiến đáng kể so với thế hệ trước. Điều này không quá bất ngờ, vì hiệu năng của chip desktop Arrow Lake cũng không ấn tượng bằng chip Raptor Lake & Refresh. Tuy nhiên, một số báo cáo cho rằng Arrow Lake-HX có thể mạnh hơn về hiệu suất công việc. Nếu thông tin về Ryzen 9 9955HX3D là chính xác, AMD có thể sẽ chiếm ưu thế lớn trên thị trường laptop hiệu năng cao nhờ công nghệ bộ nhớ đệm L3 tiên tiến.

Samsung Exynos 2500 có thể được ghép nối với GPU AMD dựa trên kiến trúc RDNA4 và RAM LPPDR5T

Samsung Exynos 2400 đã đạt được một số kết quả hiệu năng khá ấn tượng, nhưng nó vẫn tụt hậu so với các đối thủ cạnh tranh. Có vẻ như Samsung đang tập hợp một số lượng đáng kể tài nguyên cho Exynos 2500 và theo tin đồn mới nhất, chipset này sẽ được ghép nối với GPU AMD dựa trên kiến trúc RDNA4, cùng với RAM nhanh hơn và hiệu quả hơn.

Samsung giới thiệu công nghệ bộ nhớ thế hệ mới tại Memory Tech Day 2023

Samsung đã chính thức giới thiệu các công nghệ bộ nhớ thế hệ mới của mình bao gồm HBM3E, GDDR7, LPDDR5X CAMM2, và nhiều hơn nữa tại sự kiện Memory Tech Day 2023.

UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology

UltraRAM là một công nghệ bộ nhớ mới đang được phát triển bởi QuInAs Technology, một công ty được tách ra từ Khoa Vật lý của Đại học Lancaster (Anh). UltraRAM được thiết kế để kết hợp các ưu điểm của bộ nhớ flash (không biến động) và bộ nhớ DRAM (tốc độ cao).

HBM4: Tăng gấp đôi băng thông với giao diện 2048 bit

Bộ nhớ băng thông cao (HBM) đã đi một chặng đường dài trong vòng chưa đầy 10 năm có mặt trên thị trường. Nó đã tăng đáng kể tốc độ truyền dữ liệu của mình, tăng dung lượng theo cấp số nhân và đạt được vô số tính năng. Có một thay đổi lớn khác sắp xảy ra và lần này sẽ rất lớn: các stack bộ nhớ HBM thế hệ tiếp theo sẽ có giao diện bộ nhớ 2048 bit, theo báo cáo của DigiTimes trích dẫn Seoul Economy.